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聚焦5G技术发展前景:TSMC 2纳米工艺的重大突破!大规模生产即将到来

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根据最新报告,TSMC在2纳米工艺方面取得了重大内部突破。虽然细节尚未透露,但乐观估计2nm工艺有望在2023年下半年投入试生产,2024年进入量产阶段。

TSMC还表示,2纳米的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续推进1纳米工艺的研发。

台积电预计苹果、高通、英伟达和AMD等客户将率先采用其2纳米技术。

台积电2nm工艺重大突破!2023年投入试产

在2nm工艺上,TSMC将放弃沿用多年的FinFET (fin场效应管),甚至不再使用三星计划在3nm工艺中使用的GAAFET(围栅场效应管),即纳米线,而是将其扩展为“MBCFET”(多桥沟道场效应管),即纳米片。

从GAAFET到MBCFET,从纳米线到纳米片,可以看作是从二维到三维的飞跃,可以大大提高电路控制,降低漏率。

台积电2nm工艺重大突破!2023年投入试产

当然,新流程的成本会变得天文数字。三星已经投入约4.8亿美元进行5nm工艺研发,3nm GAAFET将大大超过5亿美元。

TSMC很少披露具体流程节点的投资数字,但每个人都可以放手想象.

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报告

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根据最新报告,TSMC在2纳米工艺方面取得了重大内部突破。虽然细节尚未透露,但乐观估计2nm工艺有望在2023年下半年投入试生产,2024年进入量产阶段。TSMC还表示,2纳米的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续推进1纳米工艺的研发。TSMC.

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关于作者: 余生相念不相见

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